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IAUA180N10S5N029AUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUA180N10S5N029AUMA1

N沟道,电流:180A,耐压:100V

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商品型号
IAUA180N10S5N029AUMA1
商品编号
C3288763
商品封装
HSOF-5-4​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)221W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@130uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)105nC@10V
输入电容(Ciss)7.673nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.231nF

商品特性

  • 用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
  • N 沟道 - 增强模式 - 常规电平
  • 超出 AEC-Q101 的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 稳健设计
  • 最高 260°C 峰值回流温度的 MSL3 等级
  • 175°C 工作温度
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 100% 雪崩测试

应用领域

  • 通用汽车应用。

数据手册PDF