IAUA180N08S5N026AUMA1

符合汽车级标准的 N 沟道 MOSFET，采用最新的 Trench 9 低欧姆超结技术，采用铜夹片 LFPAK88 封装。该产品经过全面设计和认证，满足并超越 AEC - Q101 要求，具备高性能和高可靠性。

• 完全符合并超越 AEC - Q101 汽车级标准
• 工作温度范围为 - 55 °C 至 + 175 °C，适用于对热要求苛刻的环境
• LFPAK88 封装：
  • 相比 D²PAK 等旧的引线键合封装，设计用于更小的占位面积，并提高功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用
  • 薄型封装和铜夹片使 LFPAK88 具有高效的散热性能
• LFPAK 铜夹片技术相比引线键合封装具有以下改进：
  • 提高最大电流承载能力和出色的电流分布
  • 改善导通电阻 RDS(on)
  • 低源极电感
  • 低热阻 Rth
• LFPAK 鸥翼式引脚：
  • 引脚具有柔韧性，能够吸收机械和热循环应力，实现高板级可靠性，这与传统 QFN 封装不同
  • 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的 X 射线设备
  • 易于焊料润湿，形成良好的机械焊点
• 独特的 40 V Trench 9 超结技术：
  • 减小单元间距和采用超结平台，在相同占位面积下实现更低的导通电阻 RDS(on)
  • 与标准 TrenchMOS 相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
  • 紧密的栅源阈值电压 VGS(th) 限制使 MOSFET 易于并联

• 12 V 汽车系统
• 48 V DC/DC 系统（12 V 次级侧）
• 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
• 反极性保护
• 超高性能功率开关