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IPDQ60R035CFD7XTMA1
耐压:600V
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R035CFD7XTMA1
- 商品编号
- C3288753
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 367W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.346nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
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