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TSM110NB04LCR RLG

N沟道,电流:54A,耐压:40V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM110NB04LCR RLG
商品编号: C3288718
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

连续电流200 A，逻辑电平栅极驱动，采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET。采用安世半导体独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率和低尖峰性能，且无高漏电流问题。该ASFET特别适用于需要强大雪崩能力、线性模式性能、高开关频率使用，以及在高负载电流下安全可靠开关的36 V电池供电应用。

商品特性

低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
工作结温达175°C
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

无刷直流电机控制
电池电源管理
DC-DC转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	16mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	68W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	12nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.269nF
	反向传输电容(Crss)	82pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道