TSM250NB06LDCR RLG
2个N沟道 耐压:60V 电流:29A 电流:6A
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- 商品型号
- TSM250NB06LDCR RLG
- 商品编号
- C3288724
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.314nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 高速功率开关，逻辑电平
- 增强型体二极管 dv/dt 能力
- 增强型雪崩耐量
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试，100% 栅极电阻（Rg）测试
商品特性
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 逻辑电平
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行UIS和Rg测试
- 符合RoHS标准
- 根据IEC 61249-2-21标准无卤
应用领域
-无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流
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