BSO303P
双通道P沟道MOSFET,电流:8.2A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO303P
- 商品编号
- C3288742
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.761nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速功率开关
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，并遵循WEEE指令2002/96/EC
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 以太网供电(POE)-LED照明-电信电源
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