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BSO330N02KG

双N沟道,电流:6.5A,耐压:20V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSO330N02KG
商品编号: C3288747
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

BLM10D3438 - 70ABG是一款采用安谱隆（Ampleon）先进的GEN10 LDMOS技术的三级全集成Doherty单片微波集成电路（MMIC）解决方案。载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的通用驱动器或大规模多输入多输出（mMIMO）末级放大器。采用鸥翼式封装。

商品特性

集成输入功分器
集成输出合路器
高效率
专为宽带操作设计（频率范围3400 MHz至3800 MHz）
载波和峰值偏置独立控制
集成静电放电（ESD）保护
源阻抗50 Ω；高功率增益

应用领域

适用于3400 MHz至3800 MHz频率范围内多载波、多标准的全球移动通信系统（GSM）、宽带码分多址（W - CDMA）和长期演进（LTE）基站的射频功率MMIC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	2W
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V@20uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	730pF
	反向传输电容(Crss)	39pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	250pF