BSO203P
P沟道,电流:-8.2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO203P
- 商品编号
- C3288745
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.242nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 690pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，采用单封装解决方案。其特点是具备低导通电阻的 MOSFET 和独立连接的低正向电压肖特基二极管，可将传导损耗降至最低。 MicroFET 1.6x1.6 超薄封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 超级逻辑电平(额定2.5 V)
- 工作温度达150°C
- 雪崩额定
- dv/dt额定
应用领域
- 电池充电
- DC-DC 转换
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