BSO203P

该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，采用单封装解决方案。其特点是具备低导通电阻的 MOSFET 和独立连接的低正向电压肖特基二极管，可将传导损耗降至最低。 MicroFET 1.6x1.6 超薄封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

• 在 VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A 时，最大 rDS(on) = 142 mΩ
• 在 VGS = -2.5 V、ID = -1.8 A 时，最大 rDS(on) = 213 mΩ
• 在 VGS = -1.8 V、ID = -1.5 A 时，最大 rDS(on) = 331 mΩ
• 在 VGS = -1.5 V、ID = -1.2 A 时，最大 rDS(on) = 530 mΩ
• 薄型设计：新型 MicroFET 1.6x1.6 超薄封装最大厚度为 0.55 mm
• 肖特基二极管：在 1 A 电流下，VF < 0.57 V
• 不含卤化化合物和氧化锑
• HBM 静电放电保护等级 >1600 V
• 符合 RoHS 标准

• 电池充电
• DC-DC 转换