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TQM110NB04CR RLG

汽车级N沟道40V MOSFET,电流:12A,耐压:40V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TQM110NB04CR RLG
商品编号: C3288730
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON)，以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	54A
	导通电阻(RDS(on))	17.2mΩ@7V
	耗散功率(Pd)	68W
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	25nC@10V
	输入电容(Ciss)	154pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	94pF