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MRF8VP13350GNR3引脚图
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  • 焊盘图

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MRF8VP13350GNR3

MRF8VP13350GNR3

品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
MRF8VP13350GNR3
商品编号
C3288705
商品封装
OM-780G-4L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)350W
阈值电压(Vgs(th))1.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
工作温度-40℃~+225℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-
栅极电压(Vgs)-

商品概述

这些350 W连续波(CW)晶体管专为700至1300 MHz频率范围内的工业、科学和医疗(ISM)应用而设计。这些晶体管在窄带工作时能够提供350 W的连续波或脉冲功率。

商品特性

  • 内部输入匹配,使用方便
  • 器件可单端使用或采用推挽配置
  • 最高可在50 VDD电压下工作
  • 配合适当偏置适用于线性应用
  • 集成静电放电(ESD)保护

应用领域

  • 915 MHz工业加热/焊接系统
  • 1300 MHz粒子加速器
  • 900 MHz陆地集群无线电(TETRA)基站