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TSM085N03PQ33 RGG

1个N沟道耐压:30V 电流:52A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM085N03PQ33 RGG
商品编号: C3288713
商品封装: PDFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品特性

低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
工作结温达175°C
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

无刷直流电机控制
电池电源管理
DC-DC转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	52A
	导通电阻(RDS(on))	13mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	37W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	7.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	817pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道