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TSM060N03PQ33 RGG

1个N沟道耐压:30V 电流:62A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM060N03PQ33 RGG
商品编号: C3288715
商品封装: PDFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

这些24 W对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖1880至2025 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。

商品特性

专为宽瞬时带宽应用设计
更大的负栅源电压范围，改善C类工作状态
能够承受极高的输出电压驻波比（VSWR）和宽带工作条件
专为数字预失真误差校正系统设计
采用卷带包装。后缀R3表示每卷250个，卷带宽度32 mm，卷轴直径13英寸。

应用领域

蜂窝基站

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	62A
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	40W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	12.9nC
	输入电容(Ciss)	1.342nF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道