TSM085P03CV RGG
1个P沟道 耐压:30V 电流:64A
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- 商品型号
- TSM085P03CV RGG
- 商品编号
- C3288714
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 251pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 396pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定1.8V）
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
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