BLM10D3438-70ABGZ
LDMOS 3级集成多尔蒂MMIC,电流:110mA,耐压:32V
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLM10D3438-70ABGZ
- 商品编号
- C3288707
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
BLM10D3438 - 70ABG是一款采用安谱隆(Ampleon)先进的GEN10 LDMOS技术的三级全集成Doherty单片微波集成电路(MMIC)解决方案。载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的通用驱动器或大规模多输入多输出(mMIMO)末级放大器。采用鸥翼式封装。
商品特性
- 集成输入功分器
- 集成输出合路器
- 高效率
- 专为宽带操作设计(频率范围3400 MHz至3800 MHz)
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成静电放电(ESD)保护
- 源阻抗50 Ω;高功率增益
应用领域
适用于3400 MHz至3800 MHz频率范围内多载波、多标准的全球移动通信系统(GSM)、宽带码分多址(W - CDMA)和长期演进(LTE)基站的射频功率MMIC
- BLP2425M10S250PY
- BLM9H0610S-60PGY
- FSM300
- A3G26D055N-1805
- A3G26D055N-100
- TSM085N03PQ33 RGG
- TSM085P03CV RGG
- TSM060N03PQ33 RGG
- TSM080NB03CR RLG
- TSM650N15CR RLG
- TSM110NB04LCR RLG
- TSM280NB06LCR RLG
- TSM036N03PQ56 RLG
- TSM250NB06LDCR RLG
- TSM160N10LCR RLG
- TSM055N03PQ56 RLG
- TSM220NB06CR RLG
- TQM033NB04CR RLG
- TQM110NB04CR RLG
- TQM250NB06DCR RLG
- ALD1106PBL

