商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8kW |
商品概述
这些高耐用性器件专为高电压驻波比(VSWR)的工业、医疗、广播和移动无线电应用而设计。其无匹配输入和输出设计支持1.8至400 MHz的频率使用。
商品特性
- 无匹配输入和输出,可实现宽频率范围利用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 最高可在65 VDD电压下工作
- 在30至65 V电压下进行特性表征,以扩展功率范围
- 采用低热阻封装
- 高击穿电压,提高可靠性
- 配合适当偏置,适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,改善C类工作性能
- 纳入恩智浦(NXP)产品长寿计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)领域
- 激光产生
- 等离子体产生
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频(VHF)电视广播
- 高频(HF)通信
- 雷达
- MRFE6VP61K25NR6
- MMRF1020-04NR3
- AFT20P140-4WNR3
- MRF8VP13350GNR3
- A3I20X050NR1
- BLM10D3438-70ABGZ
- BLM9H0610S-60PGY
- BLP2425M10S250PY
- FSM300
- A3G26D055N-1805
- A3G26D055N-100
- TSM085N03PQ33 RGG
- TSM085P03CV RGG
- TSM060N03PQ33 RGG
- TSM080NB03CR RLG
- TSM650N15CR RLG
- TSM110NB04LCR RLG
- TSM280NB06LCR RLG
- TSM036N03PQ56 RLG
- TSM250NB06LDCR RLG
- TSM160N10LCR RLG

