商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8kW |
商品特性
- 无匹配输入和输出,可实现宽频率范围利用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 最高可在65 VDD电压下工作
- 在30至65 V电压下进行特性表征,以扩展功率范围
- 采用低热阻封装
- 高击穿电压,提高可靠性
- 配合适当偏置,适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,改善C类工作性能
- 纳入恩智浦(NXP)产品长寿计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)领域
- 激光产生
- 等离子体产生
- 粒子加速器
- 磁共振成像(MRI)、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和甚高频(VHF)电视广播
- 高频(HF)通信
- 雷达