商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W |
商品概述
这些100 W对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖720至960 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。这些晶体管也适用于600至1000 MHz的宽带功率放大器应用,饱和功率高达500 W。
商品特性
- 在对称Doherty配置下进行生产测试
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作
- 专为数字预失真误差校正系统设计
- 采用卷带包装。后缀R3表示250个单元,32 mm卷带宽度,13英寸卷轴。
应用领域
-蜂窝基站应用-宽带功率放大器应用
- AFT20P140-4WNR3
- MRF8VP13350GNR3
- BLM10D3438-70ABGZ
- BLM9H0610S-60PGY
- BLP2425M10S250PY
- FSM300
- A3G26D055N-1805
- A3G26D055N-100
- TSM085N03PQ33 RGG
- TSM085P03CV RGG
- TSM060N03PQ33 RGG
- TSM080NB03CR RLG
- TSM650N15CR RLG
- TSM110NB04LCR RLG
- TSM280NB06LCR RLG
- TSM036N03PQ56 RLG
- TSM250NB06LDCR RLG
- TSM160N10LCR RLG
- TSM055N03PQ56 RLG
- TSM220NB06CR RLG
- TQM033NB04CR RLG