- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.17pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14.7pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
射频功率晶体管,专为工作频率在1.8至2000 MHz之间的窄带和宽带工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用而设计。该器件采用增强型坚固性平台制造,适用于会遇到高电压驻波比(VSWR)的应用场景。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的坚固性
- 无与伦比,可实现非常宽的宽带操作
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻
- 扩展的静电放电(ESD)保护电路