商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W |
商品概述
射频功率晶体管,专为工作频率在1.8至2000 MHz之间的窄带和宽带工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用而设计。该器件采用增强型坚固性平台制造,适用于会遇到高电压驻波比(VSWR)的应用场景。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的坚固性
- 无与伦比,可实现非常宽的宽带操作
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻
- 扩展的静电放电(ESD)保护电路
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W |
射频功率晶体管,专为工作频率在1.8至2000 MHz之间的窄带和宽带工业、科学和医疗(ISM)以及广播应用而设计。该器件采用增强型坚固性平台制造,适用于会遇到高电压驻波比(VSWR)的应用场景。