- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 0.46pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 352pF |
商品概述
射频功率晶体管,专为工作频率在960至1215 MHz之间的应用而设计。这些器件适用于脉冲应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 内部匹配,使用方便
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 集成静电放电保护功能
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 符合RoHS标准
- 采用卷带包装。后缀R3表示每盘56 mm(13英寸)包含250个器件。
- A2V09H400-04SR3
- MRFX1K80NR5
- MRFE6VP61K25NR6
- MMRF1020-04NR3
- AFT20P140-4WNR3
- MRF8VP13350GNR3
- A3G26H200W17SR3
- A3I20X050NR1
- BLM10D3438-70ABGZ
- BLM9H0610S-60PGY
- BLP2425M10S250PY
- FSM300
- A3G26D055N-1805
- A3G26D055N-100
- TSM085N03PQ33 RGG
- TSM085P03CV RGG
- TSM060N03PQ33 RGG
- TSM080NB03CR RLG
- TSM650N15CR RLG
- TSM110NB04LCR RLG
- TSM280NB06LCR RLG