商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W |
商品概述
这些射频功率晶体管专为工作频率在960至1215 MHz之间的应用而设计,如测距设备(DME)、应答机以及用于空中交通管制的二次雷达。这些器件适用于脉冲应用,包括S模式扩展电文(Mode S ELM)。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 内部匹配,使用方便
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 集成静电放电(ESD)保护
- 更宽的负栅源电压范围,改善C类工作模式
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W |
这些射频功率晶体管专为工作频率在960至1215 MHz之间的应用而设计,如测距设备(DME)、应答机以及用于空中交通管制的二次雷达。这些器件适用于脉冲应用,包括S模式扩展电文(Mode S ELM)。