MRFX035HR5

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: NXP(恩智浦)
商品型号: MRFX035HR5
商品编号: C3288695
商品封装: NI-360H-2SB
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

该器件是一款高耐用性N沟道增强型横向LDMOS射频功率晶体管，设计用于高VSWR工业、医疗、广播和移动无线电应用，其输入输出设计支持1.8 MHz至512 MHz的工作频率范围。MRFX035H为1.8-512 MHz、35 W CW、65 V宽带射频功率LDMOS晶体管，封装型号为NI-360H-2SB，封装背面为晶体管的源极。

商品特性

输入输出设计支持宽频率范围利用
原生50 Ω输出阻抗
经认证可在最高65 VDD电压下工作
在30 V至65 V电压范围内完成特性表征，支持扩展功率范围
高击穿电压，可提升可靠性
配合合适偏置可适用于线性应用
集成ESD保护，具有更大的栅源负电压范围，可改善C类工作性能
纳入NXP产品寿命计划，可保证产品推出后最少15年的供应

应用领域

工业、科学、医疗(ISM)
激光产生
等离子体产生
粒子加速器
MRI、射频消融和皮肤治疗
工业加热、焊接和干燥系统
无线电和VHF电视广播
移动无线电
HF和VHF通信
PMR基站

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	179V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	35W
	阈值电压(Vgs(th))	2.75V
	栅极电荷量(Qg)	-

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	42.8pF
	反向传输电容(Crss)	0.13pF
	工作温度	-40℃~+225℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	13.7pF
	栅极电压(Vgs)	-