商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 204A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 18nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品特性
- 低浪涌，低开关损耗。
- 可进行高速开关。
- 降低温度依赖性。
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 204A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 18nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |