FS30AS-2-T13#B00
N沟道,电流:30A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- FS30AS-2-T13#B00
- 商品编号
- C3288692
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装（3.3 x 3.3 mm占位面积）
- 低热阻
- 低厚度0.8 mm
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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