FDFME2P823ZT
P沟道 MOSFET,电流:-2.6A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFME2P823ZT
- 商品编号
- C3288662
- 商品封装
- MicroFET-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计,采用单封装解决方案。其特点是具备低导通电阻的 MOSFET 和独立连接的低正向电压肖特基二极管,可将传导损耗降至最低。 MicroFET 1.6x1.6 超薄封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能,非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A 时,最大 rDS(on) = 142 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -1.8 A 时,最大 rDS(on) = 213 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -1.5 A 时,最大 rDS(on) = 331 mΩ
- 在 VGS = -1.5 V、ID = -1.2 A 时,最大 rDS(on) = 530 mΩ
- 薄型设计:新型 MicroFET 1.6x1.6 超薄封装最大厚度为 0.55 mm
- 肖特基二极管:在 1 A 电流下,VF < 0.57 V
- 不含卤化化合物和氧化锑
- HBM 静电放电保护等级 >1600 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电池充电
- DC-DC 转换