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PXN6R2-25QLJ
1个N沟道 耐压:25V 电流:22.3A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN6R2-25QLJ
- 商品编号
- C3288679
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成肖特基类二极管
- 在栅源电压 (VGS) = 4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) 极低
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 引脚无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤