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PXN6R2-25QLJ
1个N沟道 耐压:25V 电流:22.3A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN6R2-25QLJ
- 商品编号
- C3288679
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- 超低 QG 和 QGD,系统效率高,特别是在较高开关频率下
- 超快速开关,软恢复
- 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰设计
- MLPAK33封装(3.3 x 3.3 mm 占位面积)
应用领域
-直流到直流转换-电池管理-低端负载开关-开关电路