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PXP011-20QXJ
20V, P通道, 沟槽MOSFET
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP011-20QXJ
- 商品编号
- C3288680
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.8 V时的rDS(ON) 。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(占位尺寸3.3 x 3.3 mm)
应用领域
-高端负载开关-电池管理-DC-DC转换-开关电路