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PXN9R0-30QLJ
1个N沟道 耐压:30V 电流:17.3A
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN9R0-30QLJ
- 商品编号
- C3288676
- 商品封装
- PDFN-8(3x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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