PXN7R7-25QLJ
N沟道,电流:19A,耐压:25V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN7R7-25QLJ
- 商品编号
- C3288677
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
连续电流200 A，逻辑电平栅极驱动，采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET。属于用于电池隔离和直流电机控制的ASFET系列产品，采用恩智浦（Nexperia）独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不存在高漏电流问题。该ASFET特别适用于36 V电池供电应用，这些应用需要强大的雪崩能力、线性模式性能、在高开关频率下使用，以及在高负载电流下实现安全可靠的开关操作。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- 超低QG和QGD,系统效率高,尤其在较高开关频率下
- 超快速开关,软恢复
- 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰设计
- MLPAK33封装(占位面积3.3 x 3.3 mm)
应用领域
- 直流到直流转换
- 电池管理
- 低端负载开关
- 开关电路