PXN7R7-25QLJ
N沟道,电流:19A,耐压:25V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN7R7-25QLJ
- 商品编号
- C3288677
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
连续电流200 A，逻辑电平栅极驱动，采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET。属于用于电池隔离和直流电机控制的ASFET系列产品，采用恩智浦（Nexperia）独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不存在高漏电流问题。该ASFET特别适用于36 V电池供电应用，这些应用需要强大的雪崩能力、线性模式性能、在高开关频率下使用，以及在高负载电流下实现安全可靠的开关操作。
商品特性
- 连续电流能力达200 A
- 针对36 V（标称）电池供电应用进行优化
- LFPAK56E低应力外露式引线框架，确保极致可靠性、最佳焊接效果和易于进行焊点检查
- 采用铜夹和焊片连接，实现低封装电感和电阻，以及高ID（最大值）额定值
- 可在175°C环境下工作
- 具备雪崩额定值，100%经过测试
- 低QG、QGD和QOSS，实现高效率，尤其在较高开关频率下
- 超快开关速度，软体二极管恢复特性，可降低尖峰和振铃，推荐用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，实现类肖特基开关性能和低IDSS漏电流
- 窄VGS（阈值）额定值，便于并联使用并改善电流分配
- 非常强的线性模式/安全工作区特性，可在高电流条件下实现安全可靠的开关操作
应用领域
- 无刷直流电机控制
- 高功率AC - DC应用中的同步整流器，如服务器电源
- 电池保护和电池管理系统（BMS）
- 负载开关
- 10节锂离子电池应用（36 V - 42 V）