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PXP9R1-30QLJ
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.9A
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- 描述
- P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP9R1-30QLJ
- 商品编号
- C3288678
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
~~- 低浪涌、低开关损耗。-可实现高速开关。-降低温度依赖性。
应用领域
- 电机驱动-转换器-光伏、风力发电