MCH6437-TL-E
单N沟道,电流:7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MCH6437-TL-E
- 商品编号
- C3288658
- 商品封装
- MCPH-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件在双封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已进行内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）经过设计，可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时，最大RDS（on） = 3.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大RDS（on） = 4.7 mΩ
- Q2：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时，最大RDS（on） = 1.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A时，最大RDS（on） = 1.7 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算-通信-通用负载点