VRF3933
N沟道,电流:20A,耐压:250V
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VRF3933
- 商品编号
- C3288656
- 商品封装
- M177
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 648W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V@100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 35 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.7 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 35 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 8.0 mΩ
- 低栅极电荷：VGS = 10 V时的栅极电荷（Qg(10)） = 37 nC（典型值）
- 低栅极电阻
- 雪崩额定且经过100%测试
- 符合RoHS标准
- D-PAK（TO - 252）
- （TO - 251AA）
- 短引脚I - PAK
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC - DC转换器
- 中间总线架构的VRM