VRF3933
N沟道,电流:20A,耐压:250V
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- VRF3933
- 商品编号
- C3288656
- 商品封装
- M177
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 648W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 增强耐用性 V(BR)DSS = 250 V
- 在30MHz、100V条件下,功率300W,典型增益22dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达3:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 是SD3933的升级替代产品
- 热性能增强型封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-宽带商业应用