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NVTYS010N04CLTWG
N沟道,电流:43A,耐压:40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTYS010N04CLTWG
- 商品编号
- C3288640
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 261pF |
商品概述
采用先进TrenchMOS超结技术的95 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET，封装为175°C LFPAK33。该产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。
商品特性
- 雪崩额定值，100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低QRR、QG和QGD，可实现高系统效率，尤其在高开关频率下
- 低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Mini Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊，便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
- 二次侧同步整流-直流-直流转换器-无刷直流电机驱动-LED照明