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BUK7S0R5-40HJ
1个N沟道 耐压:40V 电流:500A
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- 描述
- 汽车级N沟道MOSFET，采用最新的Trench 9低欧姆超结技术，封装于铜夹LFPAK88中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，具备高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S0R5-40HJ
- 商品编号
- C3288643
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.197nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.805nF |
商品特性
- 完全符合并超越 AEC - Q101 汽车级标准
- 工作温度范围为 - 55 °C 至 + 175 °C,适用于对热要求苛刻的环境
- LFPAK88 封装:
- 相比 D2PAK 等旧的引线键合封装,设计用于更小的占位面积,并提高功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹片使 LFPAK88 具有高效的散热性能
- LFPAK 铜夹片技术相比引线键合封装具有以下改进:
- 提高最大电流承载能力和出色的电流分布
- 改善导通电阻 RDS(on)
- 低源极电感
- 低热阻 Rth
- LFPAK 鸥翼式引脚:
- 引脚具有柔韧性,能够吸收机械和热循环应力,实现高板级可靠性,这与传统 QFN 封装不同
- 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的 X 射线设备
- 易于焊料润湿,形成良好的机械焊点
- 独特的 40 V Trench 9 超结技术:
- 减小单元间距和采用超结平台,在相同占位面积下实现更低的导通电阻 RDS(on)
- 与标准 TrenchMOS 相比,改善了安全工作区(SOA)和雪崩能力
- 紧密的栅源阈值电压 VGS(th) 限制使 MOSFET 易于并联
应用领域
- 12 V 汽车系统
- 48 V DC/DC 系统(12 V 次级侧)
- 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- 超高性能功率开关