HAT2279N-EL-E
N沟道,电流:30A,耐压:80V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT2279N-EL-E
- 商品编号
- C3288645
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
采用LFPAK56D封装的双路逻辑电平N沟道MOSFET，使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于重复雪崩应用。
商品特性
- 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 重复雪崩额定值为结温上升30°C
- 经过10亿次雪崩事件测试
- LFPAK铜夹封装技术：
- 高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚，便于制造和自动光学检测（AOI）
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 重复雪崩拓扑结构
- 发动机控制
- 变速器控制
- 执行器和辅助负载
相似推荐
其他推荐