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NVTYS006N06CLTWG实物图
  • NVTYS006N06CLTWG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTYS006N06CLTWG

N沟道,电流:71A,耐压:60V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTYS006N06CLTWG
商品编号
C3288636
商品封装
LFPAK-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.255克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)71A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)61W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

采用先进的TrenchMOS超结技术、封装为175°C LFPAK33的85 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。

商品特性

  • 小尺寸(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑型设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低电容,以最小化驱动损耗
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅,符合RoHS标准

应用领域

  • 次级侧同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机驱动-LED照明

数据手册PDF