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NVTYS003N04CTWG
N通道MOSFET,电流:99A,耐压:40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTYS003N04CTWG
- 商品编号
- C3288634
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器