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BUK9K35-60RAX实物图
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BUK9K35-60RAX

2个N沟道 耐压:60V 电流:22A

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描述
双路、逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK56D 封装,使用特定应用 (ASFET) 重复雪崩硅技术。该产品已通过 AEC-Q101 认证,适用于重复雪崩应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK9K35-60RAX
商品编号
C3288626
商品封装
LFPAK-56D​
包装方式
编带
商品毛重
0.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@5V
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3nC@5V
输入电容(Ciss)1.081nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)118pF

数据手册PDF

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