BUK9K35-60RAX
2个N沟道 耐压:60V 电流:22A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 双路、逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK56D 封装,使用特定应用 (ASFET) 重复雪崩硅技术。该产品已通过 AEC-Q101 认证,适用于重复雪崩应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K35-60RAX
- 商品编号
- C3288626
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品特性
- 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 重复雪崩额定值为结温上升30°C
- 经过10亿次雪崩事件测试
- LFPAK铜夹封装技术:
- 高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚,便于制造和自动光学检测(AOI)
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 重复雪崩拓扑结构
- 发动机控制
- 变速器控制
- 执行器和辅助负载
