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NVTYS029N08HTWG
N沟道, 21A, 80V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTYS029N08HTWG
- 商品编号
- C3288630
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 369pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准