NVTYS014P04M8LTWG
P沟道 MOSFET,电流:-53A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTYS014P04M8LTWG
- 商品编号
- C3288631
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 595pF |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),将传导损耗降至最低
- 低电容,将驱动损耗降至最低
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准