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PSMN4R2-40VSHX
2个N沟道 耐压:40V 电流:98A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路标准电平N沟道MOSFET，运用NextpowerS3技术。高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连，使该器件非常适合在高性能PWM和空间受限的电机驱动应用中用作半桥开关。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R2-40VSHX
- 商品编号
- C3288627
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 791pF |
商品特性
- 半桥配置的LFPAK56D封装可实现:
- 降低PCB布局复杂度
- 通过减少元件数量实现模块小型化
- 由于优化的封装设计,改善了系统级热阻Rth(j - amb)
- 更低的寄生电感,以支持更高的效率
- 与LFPAK56D双路封装的引脚兼容
- NextpowerS3技术
- 低功率损耗,高功率密度
- 出色的雪崩性能
- 具备重复雪崩额定值
- LFPAK铜夹封装提供高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚支持高可制造性和自动光学检测(AOI)
应用领域
-手持电动工具、便携式电器和空间受限的应用-无刷或有刷直流电机驱动-DC-DC系统-LED照明