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BUK9K13-40HX
2个N沟道 耐压:40V 电流:42A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装的双路、逻辑电平N沟道MOSFET，运用Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已依据AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K13-40HX
- 商品编号
- C3288629
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），以尽量降低传导损耗
- 低电容，以尽量降低驱动器损耗
- 优化栅极电荷，以尽量降低开关损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准