PSMN8R0-30YLC115
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R0-30YLC115
- 商品编号
- C3288622
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 848pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207pF |
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装,可在175°C环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低QG、QGD、QOSS,可在高低负载下实现高系统效率
应用领域
-直流-直流转换器-负载开关-同步降压稳压器