温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK6Y19-30PX
P通道,电流:45A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反电池保护。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6Y19-30PX
- 商品编号
- C3288625
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。 本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反接电池保护。
商品特性
~~- 高散热功率能力-额定温度达175°C,适用于对散热有要求的环境-沟槽MOSFET技术-通过AEC-Q101认证
应用领域
- 反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动