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PSMN1R5-50YLHX
1个N沟道 耐压:50V 电流:200A
- 描述
- 连续电流200 A，逻辑电平栅极驱动，采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET。属于用于电池隔离和直流电机控制的ASFET系列产品，采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效率和低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。该ASFET特别适用于36 V（标称值）电池供电的应用，这些应用需要强大的雪崩能力、线性模式性能、高开关频率使用，以及在高负载电流下实现安全可靠的开关操作
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-50YLHX
- 商品编号
- C3288621
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 181nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.143nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 554pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |