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PSMN1R5-50YLHX
1个N沟道 耐压:50V 电流:200A
- 描述
- 连续电流200 A，逻辑电平栅极驱动，采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET。属于用于电池隔离和直流电机控制的ASFET系列产品，采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效率和低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。该ASFET特别适用于36 V（标称值）电池供电的应用，这些应用需要强大的雪崩能力、线性模式性能、高开关频率使用，以及在高负载电流下实现安全可靠的开关操作
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-50YLHX
- 商品编号
- C3288621
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 181nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.143nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 554pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 200 A连续电流能力
- 针对36 V(标称)电池供电应用进行优化
- LFPAK56E低应力外露式引脚框架,实现极致可靠性、最佳焊接效果和易于进行焊点检查
- 铜夹和焊片连接,实现低封装电感和电阻,以及高ID(最大值)额定值
- 可在175°C环境下工作
- 雪崩额定,100%测试
- 低QG、QGD和QOSS,实现高效率,特别是在较高开关频率下
- 超快开关和软体二极管恢复,实现低尖峰和振铃,推荐用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术,实现类肖特基开关性能和低IDSS漏电流
- 窄VGS(th)额定值,便于并联和改善电流共享
- 非常强的线性模式/安全工作区特性,可在高电流条件下安全可靠地开关
应用领域
- 无刷直流电机控制
- 高功率AC-DC应用中的同步整流器,如服务器电源
- 电池保护和电池管理系统(BMS)
- 负载开关
- 10节锂离子电池应用(36 V - 42 V)