- 引脚图
- 焊盘图
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C4H2350N05Z
C4H2350N05Z
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- C4H2350N05Z
- 商品编号
- C3288290
- 商品封装
- DFN-6(4.5x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.82V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
适用于基站应用的5 W GaN封装功率晶体管。
商品特性
- 出色的数字预失真能力
- 高效率
- 专为宽带运行设计
- 较低的输出电容,可提升应用性能
应用领域
- 用于2300 MHz至5000 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器