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AON6558
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（aMOS LV）技术 在4.5V栅源电压（VGS）下具备极低的导通电阻RDS(ON)
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6558
- 商品编号
- C3288312
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.128nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 435pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 支持4.5 V栅极驱动
- 高密度贴装
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器