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NVMTS1D6N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:273A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8x8 mm），适合紧凑设计。 低Rₒₙ，以最小化传导损耗。 低Q₃和电容，以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无PD，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS1D6N10MCTXG
- 商品编号
- C3288328
- 商品封装
- DFNW-8(8.3x8.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 273A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 146W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@650uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.26nF |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在4.5V的VGS下，具有极低的RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器