STD5407NT4G
40V, 38A, 单N沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- STD5407NT4G
- 商品编号
- C3288375
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@32V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 开关速度极快
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 侧面可焊边，便于光学焊接检查
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路