FQI4P40TU
P沟道 MOSFET,电流:-3.5A,耐压:-400V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI4P40TU
- 商品编号
- C3288474
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源。
商品特性
- 3.5A,-400V,RDS(on) = 3.1Ω(VGS = -10 V时)
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值11 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力