FCU7N60TU
600V N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCU7N60TU
- 商品编号
- C3288559
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条状和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 650V @ TJ = 150°C
- 典型 Rds(on)=0.53Ω
- 超低栅极电荷(典型 Qg=23nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss.eff=60pF)
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器
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