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NVMYS1D7N04CT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:190A 电流:36.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS1D7N04CT1G
- 商品编号
- C3288614
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36.6A；190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 107.1W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.125nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术，塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 采用行业标准的LFPAK4封装
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备
- 笔记本电脑
- 开关电源
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